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Marca Semikron
Prodotto SEMiX453GB12E4lp
Codice interno PRT5029255
Specifiche tecniche Tipo di componente: IGBT Categoria IGBT Full Silicon Configurazione: Half Bridge 1* (Phase Leg) Costruzione: 2* (IGBT+D) Numero di circuiti (nella confezione) 2 ks Tipo di chassis: modulo Custodia [pollici]: Semix-3P Tipo di materiale: Si-Silicon RoHS Sì REACH No NOVINKA N RoHS1 anno IFAV/IC (Tc/Ta = 25° C) 678 [A] IDC massimo (Tc/Ta=80—89°C) 521 [A] Uisol (@25 °C/1 min/50 Hz) 2500 [V] UF (tensione diretta massima) 2,14 [VDC]? UCE (sat) (@25 °C) 1,8 [V] tr (tempo di accensione/salita) 67 [ns] tf/tq (tempo di spegnimento/discesa) 110 [ns] Qg (Total Gate Charge) 2550 [nC] Cin (capacità di ingresso) 27900 [pF] Dimensioni (L*W*H) [mm]: 150x62x21 Tmin (temperatura minima di esercizio) -40 [°C] Tmax (temperatura massima di esercizio) 150 [°C] RTH-c (resistenza al calore) 0,021 [°C/W]? L - lunghezza 150 [mm] W - larghezza 62 [mm] H - altezza 21 [mm]

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SEMiX453GB12E4lp è progettato per fornire prestazioni e durata ottimali in varie applicazioni. Conosciuto per la sua costruzione di alta qualità e le caratteristiche innovative, è una scelta preferita dai professionisti.

Caratteristiche principali di SEMiX453GB12E4lp :

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