Marca | Ixys Corporation |
Prodotto | IXTP76P10T |
Descrizione | Transistor |
Codice interno | PRT5031862 |
Specifiche tecniche | P-MOSFET; TrenChP™; unipolare; -100 V; -76 A; 298 W; 70 ns |
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Caratteristiche principali di IXTP76P10T :
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diodo raddrizzatore
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DIODO
diode
DIODE
diodo
diodo schottky
diodo
ID NO 765040 V1...V3 80 A/1200 V
modulo di tiristori
MOQ = 20
Singolo breakover Diode
Diodo Breakover
MOQ = 20
MOQ=20
(MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B IXYS)
GigaMOSTM MOSFET di potenza
Modulo semiconduttore discreto
transistor
V1 (Kit modulo tiristore 400A/600V)
thyristor module
Modulo Thyristor