Marca | Ixys Corporation |
Prodotto | IXFN44N80 |
Descrizione | Moduli semiconduttori discreti |
Codice interno | PRT4859510 |
Specifiche tecniche | 44 Amp 800 V 0,145 Rds |
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Caratteristiche principali di IXFN44N80 :
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DSEI2X101-06A
DIODE 2,3A 1800V AVALANCHE
diodo raddrizzatore
diodo raddrizzatore
DIODO
diode
DIODE
diodo
diodo schottky
diodo
ID NO 765040 V1...V3 80 A/1200 V
modulo di tiristori
MOQ = 20
Singolo breakover Diode
Diodo Breakover
MOQ = 20
MOQ=20
(MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B IXYS)
GigaMOSTM MOSFET di potenza
Modulo semiconduttore discreto
transistor
V1 (Kit modulo tiristore 400A/600V)